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知识充电:硬盘的技术术语四

发布时间:2008-08-10     阅读数: 次       来源:网乐原科技
9.磁阻磁头技术MR(Magneto-Resistive Head):

  MR(MagnetoResistive)磁头,即磁阻磁头技术。MR技术可以更高的实际记录密度、记录数据,从而增加硬盘容量,提高数据吞吐率。目前的MR技术已有几代产品。MAXTOR的钻石三代/四代等均采用了最新的MR技术。磁阻磁头的工作原理是基于磁阻效应来工作的,其核心是一小片金属材料,其电阻随磁场变化而变化,虽然其变化率不足2%,但因为磁阻元件连着一个非常灵敏的放大器,所以可测出该微小的电阻变化。MR技术可使硬盘容量提高40%以上。GMR(GiantMagnetoresistive)巨磁阻磁头GMR磁头与MR磁头一样,是利用特殊材料的电阻值随磁场变化的原理来读取盘片上的数据,但是GMR磁头使用了磁阻效应更好的材料和多层薄膜结构,比MR磁头更为敏感,相同的磁场变化能引起更大的电阻值变化,从而可以实现更高的存储密度,现有的MR磁头能够达到的盘片密度为3Gbit-5Gbit/in2(千兆位每平方英寸),而GMR磁头可以达到10Gbit-40Gbit/in2以上。目前GMR磁头已经处于成熟推广期,在今后的数年中,它将会逐步取代MR磁头,成为最流行的磁头技术。当然单碟容量的提高并不是单靠磁头就能解决的,这还要有相应盘片材料的改进才行,比如IBM早在去年率先在75GXP硬盘中采用玻璃介质的盘片。

  10.缓存:

  全称是数据缓冲存储器(cache buffer)指的是硬盘的高速缓冲存储器,是硬盘与外部总线交换数据的场所。硬盘的读数据的过程是将磁信号转化为电信号后,通过缓存一次次地填充与清空,再填充,再清空,一步步按照PCI总线的周期送出,可见,缓存的作用是相当重要的。在接口技术已经发展到一个相对成熟的阶段的时候,缓存的大小与速度是直接关系到硬盘的传输速度的重要因素。它一般使用7~10ns的SDRAM,目前主流IDE硬盘的数据缓存是2MB,但以西部数据得JB系列为代表的硬盘缓存达到了8MB,性能非常优秀。

  11.连续无故障时间(MTBF):

  指硬盘从开始运行到出现故障的最长时间,单位为小时。一般硬盘的MTBF都在30000或50000小时之间,算下来如果一个硬盘每天工作10小时,一年工作365天,它的寿命至少也有8年,所以用户大可不必为硬盘的寿命而担心。不过出于对数据安全方面的考虑,最好将硬盘的使用寿命控制在5年以内。

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