这种不对等设计其实完全是根据实际需要出发，因为不管在任何时候，系统从内存中读取的数据往往比写入内存的数据要多，因此对上行线路的带宽要求也要比下行线路要高，这样不对等设计刚好起到平衡作用，在一定程度上使得读取与写入数据同步。

　　同时FB-DIMM所采用的串行接口多路并联的设计还有一个优点，那就是大大增加了抗干扰能力。FB-DIMM所使用的串行总线使用差分信号技术，通过一对线路来表达一下信号，即信号是由“0”或“1”两条线路的电压差来决定，这有点类似于PCI EXPRESS总线。因此此类设计的抗干扰能力要远优于传统的单线传输信号技术，毕竟两条线路之间的电压差是保持在一个相对稳定的水准。

　　因此FB-DIMM的总线可以工作在很高的频率之上：以FB-DIMM1.0版标准为例，它可以提供3.2GHz、4GHz 和4.8GHz三种数据传输率，这意味着即使是单通道FB-DIMM系统的也可以提供9.6GB/S、12GB/S和14.4GB/S的惊人带宽。

　　注意：由于采用读取与写入不对称设计，因此FB-DIMM的理论读取数据带宽分别为5.6GB/S、7GB/S和8.4GB/S，而写入数据带宽则为4GB/S、5GB/S和6GB/S。

　　这仅仅是单通道的情况，实际上FB-DIMM可能构建双通道、四通道或八通道架构，这时所提供的内存带宽是目前的内存所不能比似：最高带宽可以达到86.4GB/S。值注意的是，这些数值并非代表FB-DIMM内存的真正读写效能，因为FB-DIMM所采用的总线是与FB-DIMM模块上的缓冲芯片直接连接的，而不是直接与北桥芯片中的内存控制器相连接。这也意味着FB-DIMM内存模块的芯片的数据传输频率不是与总线频率一致。

　　注：目前的DDR内存模块的芯片的数据传输频率是与总线频率一致的，总线频率即是内存真正的读定频率。

2、功能独特的AMB缓冲芯片

　　FB-DIMM另一特点是增加了一块称为“Advanced Memory Buffer，简称AMB”的缓冲芯片。这款AMB芯片是集数据传输控制、并—串数据互换和芯片而FB-DIMM实行串行通讯呈多路并行主要靠AMB芯片来实现。

　　在FB-DIMM系统中，有两种类型的串行线路：一条是负责数据写入的串行线路(称为Southbound，南区)，一条是负责数据读取的串行线路(称为Northbound，北区)。这两条串行线路各由AMB芯片中的“pass-through”和“pass-through & Merging”控制逻辑负责。

　　其中南、北区中传输的数据流都是采用串行格式，但AMB芯片与内存芯片仍然通过64bit(注意：位宽并不是固定不变的)并行总线进行数据交据，因此数据之间的串-并格式转换则由AMB中的转换逻辑来实现。同时在AMB中有一个数据总线接口，用来与内存芯片的连接。

　　利用AMB芯片，这意味着FB-DIMM并不需要对现有的DRAM芯片作出改动，内存制造商可以直接使用成本低廉的DDR2芯片。尽管采用新型缓冲芯片会增加一些成本，但是这比起制造全新的RAM芯片来说代价要小得多。

　　基本上可以这么说，除了时钟信号与系统管理总线的访问(主要与SPD打交道)，其他的命令与数据的I/O都要经过位于DIMM上的内存缓冲器的中转。这也许是FB-DIMM为什么叫“全缓冲双列内存模组”的原因。